Vedci utkali bavlnené tranzistory
Medzinárodnému vedeckému tímu zloženému z vedcov z Francúzska, Talianska a USA sa podarilo z bavlnených vlákien vytvoriť pasívne zariadenie – rezistor, ako aj plnofunkčné aktívne zariadenia – tranzistory typu OECT (Organic Electro-Chemical Transistor) a OFET (Organic Field Effect Transistor). Všetky tieto súčasti elektrických obvodov potom úspešne votkali do bavlnenej tkaniny.
Kľúčom k tomuto úspechu bolo použitie nanočastíc zlata, ktorými spolu s vodivým polymérom poly(3,4-etyléndioxytiofén) (PEDOT) vedci potiahli jednotlivé vlákna bavlny. Takto upravené vlákna majú až 1000-násobne vyššiu vodivosť oproti tým obyčajným, pričom sú mierne tvrdšie, ale elastickejšie. Vedci demonštrovali vysokú vodivosť takejto upravenej bavlny vytvorením jednoduchého obvodu, keď na jednej strane pripojili k vláknam batériu a na druhej strane diódu emitujúcu svetlo (LED).
Najrealistickejšie využitie tohto objavu v blízkej budúcnosti bude jeho použitie na implementovanie rôznych typov senzorov umožňujúcich snímanie parametrov okolia do jednotlivých kusov oblečenia. To môže pomôcť napríklad pri monitorovaní znečistenia ovzdušia. Hasičské uniformy budú môcť automaticky monitorovať a detegovať prítomnosť nebezpečných chemických látok. Perspektívne je aj využitie v oblasti zdravotníctva, kde bude možné pomocou oblečenia monitorovať prácu srdca alebo pľúc.
Zdroj: Physorg.com
