Revolučné tranzistory IBM a Samsungu by mohli byť kľúčom k superefektívnym procesorom

IBM a Samsung tvrdia, že urobili prelom v dizajne polovodičov. Zatiaľ čo pri súčasných procesoroch a SoC sú tranzistory umiestnené naplocho na povrchu kremíka a elektrický prúd tečie horizontálne, tranzistory s efektom vertikálneho transportného poľa (Vertical Transport Field Effect Transistors – VTFET) sú uložené navzájom kolmo a prúd tečie vertikálne. Podľa IBM a Samsungu má tento dizajn dve výhody. Po prvé, umožní to obísť mnohé výkonnostné obmedzenia a rozšíriť Moorov zákon nad rámec súčasnej nanovrstvovej technológie IBM. {{BANNER|SIMPLE_BANNER_HOMEPAGE_3}} A čo je ešte dôležitejšie, dizajn vedie k menšiemu plytvaniu energiou vďaka väčšiemu toku prúdu. Odhaduje sa, že VTFET povedie k procesorom, ktoré budú buď dvakrát rýchlejšie, alebo budú využívať o 85 percent menej energie ako čipy navrhnuté s tranzistormi FinFET. Takisto by to mohlo spôsobiť, že niektoré energeticky náročné úlohy vrátane ťažby kryptomien budú energeticky efektívnejšie, a teda menej zaťažia životné prostredie ...